报告：2032年美先进芯片制造能力远超中国

报告：2032年美先进芯片制造能力远超中国

（大纪元记者夏雨报导）一份最新报告显示，到2032年，美国半导体制造能力将倍增，并控制全球近30%的先进芯片制造，而中国先进芯片生产全球占比只有2%。

周三（5月8日），根据半导体行业协会（SIA）和波士顿咨询公司发布的一份报告，美国预计在《芯片与科学法案》颁布后的十年内，国内芯片制造业将增长203%，并在数十年来首次扩大其在全球晶圆厂总产能中所占份额。这份报告聚焦全球芯片供应链。

这份题为“半导体供应链中的新兴弹性”的研究报告还预测，到2032年，美国先进逻辑芯片（10纳米以下）制造产能占全球产能的份额，将从2022年的10%增至28%。

未来十年 美国芯片产能增幅全球最高

美国在全球晶圆厂产能中所占的份额经历了数十年下降，从1990年的37%下降到2020年的12%，到2022年进一步下降至10%。到2022年，美国的所有芯片制造能力仅占全球的10%，大部分芯片制造位于亚洲。

美国政府于2022年通过《芯片与科学法案》，该法案拨款390亿美元用于美国芯片制造能力建设，以摆脱对中国供应链的依赖。

报告预计美国晶圆厂产能在未来10年将倍增（203%），预计增幅为全球最高，相比之下，美国晶圆厂产能在过去十年（2012-22 年）仅增长11%。报告还预计2024年至2032年期间，美国资本支出在全球资本支出总额（capex）占四分之一以上（28%），仅次于台湾（31%）。报告认为，如果没有《CHIPS法案》，到2032年，美国的资本支出将仅占全球资本支出的9%。

报告表示，这笔钱将在未来十年开始得到回报。

到2032年，美国将占全球芯片制造总量的14%。如果没有《CHIPS法案》，到2032年，美国的份额将进一步下滑至8%。

中共斥巨资发展芯片业 美国最先进芯片仍远超中国

此外，报告表示，《芯片法案》将帮助美国在制造最先进芯片方面远远超越共产中国。

美国和中国一样，目前不具备制造10纳米以下芯片的能力。然而，在美国联邦拨款的支持下，台积电、三星电子和英特尔已同意增加在美国的投资，并在美国本土生产世界上最先进的芯片。

台积电原本打算在其亚利桑那州工厂生产3纳米芯片，但在获得66亿美元拨款后也将生产2纳米芯片。三星还承诺通过《芯片法案》提供的64亿美元资金，在德克萨斯州工厂大规模生产2纳米芯片。

因此，根据SIA和BCG的报告，到2032年，美国将有能力制造28%的10纳米以下芯片。

相比之下，报告预测，虽然中共也斥资超过1,420亿美元的政府激励措施来建设国内半导体产业，但预计中国只能生产世界上最先进芯片的2%。

与此同时，美国对中国芯片出口限制，特别是对尖端芯片和芯片制造工具的限制，也是中共芯片技术远远落后于美国的部分原因。

SIA总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗（John Neuffer）表示：“一些现在措施可能会减慢（芯片研发）速度。”他补充说，“（共产）中国在最先进芯片方面的起步基础要低得多。”

两党都支持加强美国半导体供应链

报告还发现，美国在对全球价值链的整体贡献方面继续领先世界，在芯片设计、电子设计自动化（EDA）和半导体制造设备等半导体技术高附加值领域，居领导地位。报告预计美国将增强其在关键技术领域的能力，例如DRAM存储器、模拟和先进封装等。

诺伊弗说，“尽管美国在制造业方面有所下滑，但在设计和研发方面，美国却是第一，而且从我们行业的历史来看，几乎一直如此。”

诺伊弗还表示，无论11月大选结果如何，两党都支持加强美国半导体供应链。

“我们的第一轮（《CHIPS法案》）成绩单看起来相当不错。”诺伊弗说，“当国会、政府考虑第二轮该怎么样时，我认为每个人都会很乐意做更多事情，因为第一轮是如此成功。”

他补充道：“我非常有信心，我们将采取政策应对措施，让我们继续参与其中，为我们的公司保持公平的竞争环境。”

这份报告还提醒，产业政策有可能造成额外的瓶颈，从而增加供应链风险。如果激励计划和大规模产业政策导致非市场化投资，半导体供应链的某些环节将面临风险，从而导致生产过度集中或供应过剩。政府激励措施应侧重于促进有针对性的、分布式的、基于市场的投资。

（本文参考了《日经新闻》的报导）

责任编辑：李宇圆#

https://www.epochtimes.com/gb/24/5/8/n14244073.htm